臺(tái)式掃描電鏡體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)、功率損耗小、機(jī)械性能好，因而適用的范圍廣。然而半導(dǎo)體器件的性能和穩(wěn)定性在很大程度上受它表面的微觀(guān)狀態(tài)的影響。一般在半導(dǎo)體器件試制和生產(chǎn)過(guò)程巾包括了切割、研磨、拋光以及各種化學(xué)試劑處理等一系列工作，會(huì)造成表面的結(jié)構(gòu)發(fā)生驚人的變化，所以幾乎每一個(gè)步驟都需要對(duì)擴(kuò)散進(jìn)行檢測(cè)，深度進(jìn)行測(cè)繭或者直接看到擴(kuò)散區(qū)的實(shí)際分布情況，而生產(chǎn)大型集成電路就更是如此。目前，臺(tái)式掃電鏡在半導(dǎo)體中的應(yīng)用已經(jīng)深入到許多方面。

　　臺(tái)式掃描電鏡利用柬感應(yīng)電流（EBIC）像和吸收電流像（AEI）分別觀(guān)察NTD硅單晶和區(qū)熔硅單晶高壓整流元件PN結(jié)的平整度、結(jié)深、耗盡區(qū)內(nèi)的缺陸特征及其分布和少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的變化，直觀(guān)地顯示NTD硅單晶材料的徑向和軸向電阻率均勻，制得的PN結(jié)比較平坦，以及熱中子輻射損傷在晶體中造成大量缺陷，這些缺陷使少子擴(kuò)散長(zhǎng)度和平均壽命縮短。因此，可控制中子輻射損傷和選用合適的退火工藝消除內(nèi)部缺陷，提高NTD硅單晶質(zhì)量。

　　半導(dǎo)體材料中的動(dòng)力學(xué)現(xiàn)象如擴(kuò)散和相變具有很重要的意義用臺(tái)式掃描電鏡跟蹤鋁薄膜條在大電流密度下的電遷移行為，便可以得到有關(guān)空洞移動(dòng)和熔化解潤(rùn)失效的細(xì)節(jié)。此外，利用X射線(xiàn)顯微分析技術(shù)也可以對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行各種成分分析。

　　臺(tái)式掃描電鏡的相關(guān)知識(shí)點(diǎn)就先說(shuō)到這里了，這款產(chǎn)品還有很多的常識(shí)等著各位來(lái)發(fā)現(xiàn)與了解，如果您還想要了解更多內(nèi)容，還請(qǐng)先關(guān)注好我們，小編會(huì)不定期在此跟大家分享更多的信息。